在德意志银行2026年科技大会上，英特尔CFO David Zinsner给出了一句值得半导体圈反复咀嚼的表态——Intel 14A（1.4纳米级）制程的缺陷密度下降速度超出公司预期，创下22纳米以来最佳表现。
他原话是：“自22nm以来从未见过这样的表现”。
对于22nm，他补充了一句，可以说是英特尔推出过的最好制程之一。
英特尔也在传递一个明显的信号——它正在找回“曾经领先对手两年”的节奏。
自22nm以来从未见过如此表现
英特尔首席财务官David Zinsner在德意志银行2026年科技大会上表示，Intel 14A（1.4纳米级）制程的缺陷密度下降速度超出公司预期，也创下了22纳米以来最佳表现。
“自22nm以来从未见过这样的表现。”Zinsner在大会上直言
22nm，英特尔首个采用FinFET晶体管的工艺节点，于2011年试产、2012年量产，是英特尔制造霸权时代的标志。
“从缺陷密度来看，14A的追踪比我们对14A的目标曲线更好。”
它在摧毁缺陷的速度上也比之前的任何节点都好。
事实上，自22纳米以来都未见过这样的性能，而22nm可以说是英特尔推出过的最佳节点之一。
英特尔计划于2027年下半年开始以14A制造工艺进行自有产品的风险生产，并于2028年启动大规模生产。
因此，英特尔首席财务官在大会上表示，在14A开发的目前阶段，其缺陷减少轨迹至少与公司在2010年同期极为成功的22nm工艺发展轨迹一样健康。
不过，这种表达有几个问题。
首先，14A的缺陷密度现在不一定等同于距离量产两年后的22nm的缺陷密度。
其次，由于晶圆处理和检测设备的进步，英特尔现在所认为的缺陷，可能与16年前的缺陷不同。
缺陷密度本身并不直接等于产物屈服率。
22nm时代的英特尔有多牛
22nm时代的英特尔，是这家公司制造霸权最干净、最没有争议的一段时期。
一句话概括：那时候的英特尔不是“领先半个身位”，而是在晶体管结构上把整个行业甩开了整整一代。
2011年，英特尔宣布将Tri-Gate（三栅/三面栅）晶体管导入22nm量产技术，并称这是生产技术中首次使用3D晶体管。
2011年末至2012年初，英特尔开始量产基于22纳米工艺的Ivy Bridge处理器，并于2012年4月下旬正式上市。
这也是全球第一个在消费级产品里大规模量产的3D晶体管工艺。
现在随着GAAFET时代的到来，英特尔也领先一步量产基于GAAFET的18A，现在的14A也将采用第二代的RibbonFET和第二代背面供电技术，同时使用高数值孔径 (High-NA) EUV 光刻技术。
整体来看，现在GAAFET时代的难度会高很多。
尽管如此，英特尔也表态，14A的缺陷密度降低工作，在正是量产前就取得了异常良好的进展，这肯定是非常积极的好消息。
